机译:(100)Si衬底上异质外延3C-SiC薄膜的应力特性研究
机译:使用六甲基二硅烷单源前驱体通过APCVD在Si(100)衬底上异质外延生长单3C-SiC薄膜
机译:通过APCVD使用六甲基二硅烷的单源前体对Si(100)基底上的单一3C-SiC薄膜的异质生长
机译:通过单源化学气相沉积在MEMS(Si)(100)衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:通过在sOI(100)衬底上化学气相沉积异质外延siC膜形成的半导体纳米孔
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究